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高壓模擬

基于NSI標準化工藝平臺,提供客戶訂制化芯片設計、流片服務。
中芯寧波的電源和模擬技術基于現有的低功耗邏輯平臺可提供??榧芄?,為模擬和電源應用提供了較低的成本和優越的性能。該技術包括雙極晶體管、高壓LDMOS晶體管、精密模擬無源器件等。
這些技術已經主要集中在0.35微米、0.18微米等技術節點上,并具有業界領先的模擬和功率器件。




基于現有工藝技術,利用中芯寧波研發團隊在0.18μm, ~0.13μm邏輯、電源管理芯片等先進制程上的工藝研發經驗,結合工藝、設計團隊的高壓模擬芯片工藝研發、產品設計能力,進一步縮小器件尺寸、提升器件可靠性、加入新的不同電壓與應用的器件、拓展工藝與產品類型,包括9大類68種,工藝節點從0.8um至5um,涵蓋CMOS, Bipolar, BiCMOS, EEPROM, VDMOS, BCD, SOI等眾多工藝品種,工作電壓范圍從3.3/5.5V到600V,乃至1200V,主要用于模擬、模數混合、和射頻電路產品制造,高壓大功率器件及電路等特種應用。




基于收購的原日銀IMP監控復位芯片設計技術,采用成熟的中芯國際工藝平臺流片,具有高精度、低功耗、低溫漂的特點。該系列產品檢測電壓涵蓋大部分電子產品需求。主要與微處理器(MCU)搭配使用。隨著物聯網(IoT)的興起,MCU的應用范圍越來越廣,連帶看門狗監控類芯片的市場規模也逐步攀升。主要用于微處理器復位電路,電池供電系統,上電復位電路,供電檢測電路等。




在自有200V/400V SOI BCD設計基礎上,結合中芯國際0.18μm、0.13 um PMU工藝,中芯寧波推出了0.18μm 40V power SOI BCD工藝平臺,具有導通電阻低、耐壓高、可靠性高、噪聲與竄擾小,無latch-up效應等優點,是下一代移動快充電源管理芯片的最佳選擇。

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